ترابرد الکترونی در نانوساختارهای گرافین دولایه

گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به انداز? mev 200 برای تولید ترانزیستورهای اثر میدانی در دمای اتاق کافی است، چیزی که در مواد گرافینی معمولی امکان نداشت. بنابراین در این پروژه ویژگی های ساختارهای گرافین دو لایه، به ویژه مورد گاف دار آن را مطالعه خواهیم کرد. بررسی تأثیر حضور گاف درکمین? رسانندگی گرافین دولایه، ترابرد الکترونی در اتصال های p-n و n-n نانونوارهای گرافینی دو لای? گاف دار و بدون گاف از اهداف این پروژه خواهد بود. امکان کنترل مولف? عمود ی درجه آزادی شبه اسپین توسط میدان الکتریکی خارجی و به طور مستقل از تکانه در گرافین دو لایه بر خلاف تک لایه، و از اینرو امکان دریچه شبه اسپینی همانند دریچه اسپینی در ساختارهای نیمرسانای عادی، موضوع دیگری است که در این رساله به آن خواهیم پرداخت.